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  • 型号: BSZ110N06NS3 G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSZ110N06NS3 G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSZ110N06NS3 G价格参考。InfineonBSZ110N06NS3 G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSZ110N06NS3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSZ110N06NS3 G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

53 A

Id-连续漏极电流

20 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSZ110N06NS3 GOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSZ110N06NS3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001ahttp://www.infineon.com/dgdl/BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a

产品型号

BSZ110N06NS3 G

PCN其它

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Pd-PowerDissipation

2.1 W

Pd-功率耗散

2.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

11 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

11 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

77 ns

下降时间

6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 23µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2700pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

33nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

11 毫欧 @ 20A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TSDSON-8(3.3x3.3)

其它名称

BSZ110N06NS3G
BSZ110N06NS3GATMA1
BSZ110N06NS3GINTR
SP000453676

典型关闭延迟时间

14 ns

功率-最大值

50W

包装

带卷 (TR)

商标

Infineon Technologies

商标名

OptiMOS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVDFN

封装/箱体

TSDSON-8

工厂包装数量

5000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

5,000

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

20A (Tc)

系列

BSZ110N06

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

零件号别名

BSZ110N06NS3GATMA1 SP000453676

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